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参数目录42417
> IRFH5004TR2PBF MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
型号:
IRFH5004TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH5004TR2PBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.6 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4490pF @ 20V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN
供应商设备封装
PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRFH5004TR2PBFCT
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